光学仕様として設計したSi基板です。 主に12～5umの波長範囲で透過率50%前後あり、ウィンドウや光学フィルター向け基板として使用されます。 CZ法Siは9um波長域に大きな吸収があります。 オプティカルグレードの抵抗値は概ね5～40オームです。La2O3（材料）、27（比誘電率）、54eV(バンドギャップ)、「(備考)吸湿性による膜質変化」 ＋98kJ/mol(Siとの熱的安定性 at Gibbs E)、－(結晶構造の安定性) HfO2（材料）、24（比誘電率）、57eV(バンドギャップ)、「(備考)耐熱性が低い」 ＋48kJ/mol(Siとの熱的安定性 at272 FUJITSU56, 4, p (07,05) 65 nm世代LSI用低誘電率層間絶縁材料 Lowk Interlayer Dielectrics for 65 nmNode LSIs あらまし 56, 4, 07,05 65 nm世代のLSI適用に向けて，225の低い比誘電率と弾性率10 GPaの高い機械強度を持
誘電性とは 電場をかけても電気は流れず 電極側に負電荷粒子が 電極側には正電荷粒子が移動 分極 する現象 荷電粒子は移動するだけであり 電気は流れない 誘電性には 電場を取り去っても分極が保持される場合と 電場を取り去ると分極が消滅する場合の
